陈琨 | 光电材料与技术国家重点实验室（中山大学）

陈琨

光电材料与技术国家重点实验室, 电子与信息工程学院固定成员

电子邮件

chenk69@mail.sysu.edu.cn

基本情况

职称：副教授

学位：博士

毕业学校：香港中文大学大学

电子邮件：chenk69@mail.sysu.edu.cn

电子与信息工程学院副教授，百人计划，广东省杰青。2013年在香港中文大学获得电子工程学博士学位，随后成为香港中文大学电子工程学系博士后。2017年3月加入中山大学电子与信息工程学院，广东省显示材料重点实验室。

教育背景

2009.8-2013.5 香港中文大学电子工程学博士

2005.9-2008.6 华南师范大学微电子学与固体电子学硕士

2001.9-2005.7 华中科技大学信息与计算科学/光信息科学与技术学士

工作履历

2017年3月加入中山大学电子与信息工程学院，广东省显示材料重点实验室。

学术兼职

研究领域

主要研究新型二维半导体材料生长与相关微纳电子、光电子器件研究，包括二维柔性电子器件，可穿戴电子与类神经网络器件，红外及太赫兹多个光电探测器等。

研究方向

1. 二维微纳电子器件：柔性电子器件，可穿戴电子器件与类神经网络器件

2. 二维光电探测器件：中远红外及太赫兹双重

3. 二维材料生长，生长机理与电学性能第一性原理计算

主讲课程

本科生：线性代数、数学物理方法

研究生：纳米光子学

学术成果

【学术表现】

【主要论著】

1. X. Wan*, X. Miao, J. Yao, S. Wang, F. Shao, S. Xiao, R. Zhan, K. Chen*, X. Zeng, X. Gu, J. Xu*, In Situ Ultrafast and Patterned Growth of Transition Metal Dichalcogenides from Inkjet‐Printed Aqueous Precursors. Advanced Materials, 2021, 2100260. DOI: 10.1002/adma.202100260 (IF:27.398)

2. Wan, X. #*; Li, H.#; Chen, K.*; and Xu, J.*, Towards Scalable Fabrications and Applications of 2D Layered Material-based Vertical and Lateral Heterostructures. Chem. Res. Chinese Universities , 2020, 36(4), 525-550

3. Tao, L.#; Chen, K.#*; Chen, Z.#; Cong, C.; Qiu, C.; Chen, J.; Wang, X.; Chen, H.; Yu, T.; Xie, W.; Deng, S.; Xu, J.*,1T' transition metal telluride atomic layers for plasmon-free SERS at femtomolar levels. J. Am. Chem. Soc. 2018, 140 (28), 8696-8704 (IF:14.357)

4. Chen, K.#*; Chen, Z. #; Wan, X.; Zheng, Z.; Xie, F.; Chen, W.; Gui, X.; Chen, H.; Xie, W.; Xu, J.*, A Simple Method for Synthesis of High-Quality Millimeter-Scale 1T' Transition-Metal Telluride and Near-Field Nanooptical Properties. Advanced Materials 2017, 29 (38), 1700704. (IF:27.398)

5. Chen, K. #; Wan, X. #; Xu, J. B.*, Epitaxial Stitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides (TMDCs) Heterojunctions. Advanced Functional Materials 2017, 27 (19), 1603884. (IF:13.325)

6. Wan, X.#; Chen, K. #*; Chen, Z. F.; Xie, F. Y.; Zeng, X. L.; Xie, W. G.; Chen, J.; Xu, J. B.*, Controlled Electrochemical Deposition of Large-Area MoS2 on Graphene for High-Responsivity Photodetectors. Advanced Functional Materials 2017, 27 (19), 1603998. (IF:13.325)

7. X. Wan#, K. Chen#, W. Xie, J. Wen, H. Chen, J. B. Xu*, Quantitative Analysis of Scattering Mechanisms in Highly Crystalline CVD MoS2 through a Self-Limited Growth Strategy by Interface Engineering. Small 2016, 12, 438-445. (IF:9.598)

8. K. Chen#, X. Wan#, W. Xie, J. Wen, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. Xu*, Lateral Built-In Potential of Monolayer MoS2–WS2 In-Plane Heterostructures by a Shortcut Growth Strategy. Advanced Materials 2015, 27, 6431-6437. (IF:21.950)

9. K. Chen#, X. Wan#, J. Wen, W. Xie, Z. Kang, X. Zeng, H. Chen, J. B. Xu*, Electronic Properties of MoS2–WS2 Heterostructures Synthesized with Two-Step Lateral Epitaxial Strategy. Acs Nano 2015, 9, 9868-9876. (IF:13.709)

10. X. Wan#, K. Chen#, J. Xu*, Interface Engineering for CVD Graphene: Current Status and Progress. Small 2014, 10, 4443-4454. (IF:9.598)

11. K. Chen#, X. Wan#, D. Liu, Z. Kang, W. Xie, J. Chen, Q. Miao, J. Xu*, Quantitative determination of scattering mechanism in large-area graphene on conventional and SAM-functionalized substrates at room temperature. Nanoscale 2013, 5, 5784-5793.

12. K. Chen#, X. Wan#, J. B. Xu*, Controllable modulation of the electronic properties of graphene and silicene by interface engineering and pressure. Journal of Materials Chemistry C 2013, 1, 4869-4878.

13. K. Chen, X. Wang, J.-B. Xu*, L. Pan, X. Wang and Y. Shi, Electronic Properties of Graphene Altered by Substrate Surface Chemistry and Externally Applied Electric Field. The Journal of Physical Chemistry C, 2012, 116, 6259–6267.

14. X. Wan#, K. Chen#, D. Q. Liu, J. Chen, Q. Miao, J. B. Xu*, High-Quality Large-Area Graphene from Dehydrogenated Polycyclic Aromatic Hydrocarbons. Chemistry of Materials 2012, 24, 3906-3915.(IF:9.890)

15. K. Chen, G.H. Fan*, Y. Zhang, S.F. Ding, First-Principle Calculation of Nitrogen-Doped p-Type ZnO. Acta Physico-Chimica Sinica 2008,24, 61-66.

16. K. Chen, G.H. Fan*, Y. Zhang, First principles study of optical properties of wurtzite ZnO with Mn-doping. Acta Physica Sinica 2008, 57, 1054-1060.

17. K. Chen, G.H. Fan*, Y. Zhang, S.F. Ding, First principles study of In-N codoped ZnO. Acta Physica Sinica 2008, 57, 3138-3147.

18. L. Tao, Chen K., Z. Chen, W. Chen, X. Gui, H. Chen, X. Li, J.B. Xu*, Centimeter-Scale CVD Growth of Highly Crystalline Single-Layer MoS2 Film with Spatial Homogeneity and the Visualization of Grain Boundaries , ACS Applied Materials & Interfaces, 9 (13), 2017, 12073-12081.

19. X. Wan, K. Chen, J. Du, D. Q. Liu, J. Chen, X. Lai, W. G. Xie, J. B. Xu*, Enhanced Performance and Fermi-Level Estimation of Coronene-Derived Graphene Transistors on Self-Assembled Monolayer Modified Substrates in Large Areas. The Journal of Physical Chemistry C 2013, 117, 4800-4807.

20. Z. Kang, H. Lu, J. Chen, K. Chen, F. Xu, H. P. Ho*, Plasmonic graded nano-disks as nano-optical conveyor belt. Optics Express 2014, 22, 19567-19572.

21. Z. Kang, J. Chen, S. Y. Wu, K. Chen, S. K. Kong, K. T. Yong, H. P. Ho*, Trapping and assembling of particles and live cells on large-scale random gold nano-island substrates. Scientific Reports 2015, 5, 9978.

22. S.F. Ding, G.H. Fan*, S.T.Li, K. Chen, B. Xiao, Theoretical study of BexZn1-xO alloys. Physica B 2007, 394,127-131.

【科研课题】

1. 中山大学百人计划引进人才启动人才，30万，2017年3月-2020年2月，主持。

2. 国家自然科学基金青年项目，25万，2019年1月-2021年12月，主持。

3. 广东省杰出青年项目，100万，2018年5月-2022年4月，主持。

4. 广州市科技计划一般项目，20万，2019年4月-2023年3月，主持。

陈琨