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学术报告(4月12日):基于微纳加工技术提升III族氮化物半导体光电子器件效率

文章录入:叶芍君 文章编辑:叶芍君 点击数:25 更新时间:2018-04-08

报告人: 教授 (南京大学 电子科学与工程学院)

题目:基于微纳加工技术提升III族氮化物半导体光电子器件效率

地点:中山大学南校园十友堂300报告厅

时间:2018412 下午 14:30-16:00

主持人:董建文 教授

欢迎广大师生前来参与交流!

 

摘要:随着III族氮化物光电子器件从蓝绿光波段向黄红光、紫外波段推进,迫切需求高质量大组分InGaNAlGaN合金材料及其异质结构。针对在制备高In及高Al组分的氮化物半导体过程中的困难,我们发展了微纳加工图形化衬底技术,采用金属有机源化学汽相沉积(MOCVD)二次横向外延生长获得了高质量的氮化物半导体材料,并且研究微纳尺寸下氮化物横向外延生长和位错抑制机理。为实现超高能效的发光二极管(LED)光源,我们采用紫外软纳米压印和刻蚀技术,制备出晶圆面积的有序III族氮化物纳米结构。利用偶极子耦合增强,表面等离激元耦合增强等物理效应,制备出III族氮化物/II-VI族量子点混合结构LED以及金属表面等离基元耦合的纳米发光结构,发展了提升LED内量子效率和光提取效率的新方法,实现了高品质白光LED光源和低阈值激光器件。

 

报告人简历:刘斌,南京大学电子科学与工程学院教授,博士生导师。2003年本科毕业于中山大学物理科学与工程技术学院,2008年博士毕业于南京大学物理系,获全国百篇优博论文提名。他获得霍英东教育基金会青年基金(2010),教育部青年长江学者(2016)与新世纪优秀人才计划(2012),国家自然科学基金委优秀青年基金(2014),并作为学术团队成员获得教育部高校自然科学一等奖和技术发明一等奖2项。他一直在江苏省光电信息功能材料重点实验室、半导体节能器件及材料国家地方联合工程中心展开III族氮化物半导体异质结构和光电子器件研究,并兼任重点实验室/工程中心副主任;曾先后在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家实验室从事博士后研究,在美国耶鲁大学、瑞典皇家工学院(KTH)、中国香港中文大学短期访问研究;主持国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项课题与国家自然科学基金项目10余项,目前已发表SCI学术论文150余篇,申请/授权发明专利40余项。